Name: SI6562CDQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6562CDQ-T1-GE3TR-ND
Price: 1.7343 EUR
Availability: InStock

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SI6562CDQ-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI6562CDQ-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI6562CDQ-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI6562CDQ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI6562CDQ-T1-GE3
Descrição	MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8TSSOP
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 20V 6,7A, 6,1A 1,6W, 1,7W Montagem em superfície 8-TSSOP
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SI6562CDQ-T1-GE3 Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Rds on (máx.) para Id, Vgs 22mOhm a 5,7A, 4,5V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx.) para Id 1,5V a 250µA
Séries TrenchFET®	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 23nC a 10V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 850pF a 10V
Part Status Última compra	Potência - Máx. 1,6W, 1,7W
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Configuração Canal N e P	Tipo de montagem Montagem em superfície
Característica FET Porta de nível lógico	Pacote / Invólucro 8-TSSOP (largura 0,173", 4,40mm)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 20V	Invólucro do dispositivo fornecido 8-TSSOP
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 6,7A, 6,1A	Número base de produto SI6562