Name: SI6913DQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6913DQ-T1-GE3TR-ND
Price: 3.0504 EUR
Availability: InStock

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SI6913DQ-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI6913DQ-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI6913DQ-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI6913DQ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI6913DQ-T1-GE3
Descrição	MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 12V 4,9A 830mW Montagem em superfície 8-TSSOP
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais P (duplo)
Característica FET	Porta de nível lógico
Tensão dreno-fonte (Vdss)	12V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4,9A
Rds on (máx.) para Id, Vgs	21mOhm a 5,8A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	900mV a 400µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	28nC a 4,5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	-
Potência - Máx.	830mW
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	8-TSSOP (largura 0,173", 4,40mm)
Invólucro do dispositivo fornecido	8-TSSOP
Número base de produto	SI6913