Name: SI7252DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7252DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.2349 EUR
Availability: InStock

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SI7252DP-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI7252DP-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI7252DP-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI7252DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI7252DP-T1-GE3
Descrição	MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK SO8
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 100V 36,7A 46W Montagem em superfície SO-8 Dual PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SI7252DP-T1-GE3 Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Rds on (máx.) para Id, Vgs 18mOhm a 15A, 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 250µA
Séries TrenchFET®	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 27nC a 10V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1170pF a 50V
Part Status Ativo	Potência - Máx. 46W
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Configuração 2 canais N (duplo)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Característica FET Porta de nível lógico	Pacote / Invólucro SO-8 Dual PowerPAK®
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100V	Invólucro do dispositivo fornecido SO-8 Dual PowerPAK®
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 36,7A	Número base de produto SI7252