Name: SI7625DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7625DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.845 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SI7625DN-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI7625DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI7625DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI7625DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI7625DN-T1-GE3
Descrição	MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Tempo de espera previsto do fabricante	22 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 1212-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SI7625DN-T1-GE3 Modelos

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 126 nC @ 10 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4427 pF @ 15 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 30 V	Invólucro do dispositivo fornecido PowerPAK® 1212-8
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 35A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerPAK® 1212-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto SI7625
Rds on (máx.) para Id, Vgs 7mOhm a 15A, 10V