Name: SI7846DP-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7846DP-T1-E3TR-ND
Price: 4.059 EUR
Availability: InStock

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SI7846DP-T1-E3
Número de produto da DigiKey	SI7846DP-T1-E3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI7846DP-T1-E3CT-ND - Fita cortada (CT) SI7846DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI7846DP-T1-E3
Descrição	MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
Tempo de espera previsto do fabricante	38 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 150 V 4A (Ta) 1,9W (Ta) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SI7846DP-T1-E3 Modelos

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 50mOhm a 5A, 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx.) para Id 4,5V a 250µA
Séries TrenchFET®	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 36 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 1,9W (Ta)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 150 V	Invólucro do dispositivo fornecido SO-8 PowerPAK®
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 4A (Ta)	Pacote / Invólucro SO-8 PowerPAK®
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto SI7846