Name: SI8409DB-T1-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8409DB-T1-E1TR-ND
Price: 1.7466 EUR
Availability: InStock

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SI8409DB-T1-E1
Número de produto da DigiKey	SI8409DB-T1-E1TR-ND - Fita e carretel (TR) SI8409DB-T1-E1CT-ND - Fita cortada (CT) SI8409DB-T1-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI8409DB-T1-E1
Descrição	MOSFET P-CH 30V 4.6A 4MICROFOOT
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 30 V 4,6A (Ta) 1,47W (Ta) Montagem em superfície 4-Microfoot
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SI8409DB-T1-E1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	4,6A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2,5V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	46mOhm a 1A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	26 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)	±12V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	1,47W (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	4-Microfoot
Pacote / Invólucro	4-XFBGA, CSPBGA
Número base de produto	SI8409