
SI8425DB-T1-E1 | |
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Número de produto da DigiKey | SI8425DB-T1-E1TR-ND - Fita e carretel (TR) SI8425DB-T1-E1CT-ND - Fita cortada (CT) SI8425DB-T1-E1DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SI8425DB-T1-E1 |
Descrição | MOSFET P-CH 20V 4WLCSP |
Tempo de espera previsto do fabricante | 49 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal P 20 V 5,9A (Ta) 1,1W (Ta), 2,7W (Tc) Montagem em superfície 4-WLCSP (1,6x1,6) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SI8425DB-T1-E1 Modelos |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | ||
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 20 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1,8V, 4,5V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 23mOhm a 2A, 4,5V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 900mV a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 110 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±10V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 2800 pF @ 10 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 1,1W (Ta), 2,7W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | 4-WLCSP (1,6x1,6) | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 1,07000 € | 1,07 € |
| 10 | 0,66900 € | 6,69 € |
| 100 | 0,43920 € | 43,92 € |
| 500 | 0,34056 € | 170,28 € |
| 1 000 | 0,30878 € | 308,78 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,26844 € | 805,32 € |
| 6 000 | 0,24812 € | 1 488,72 € |
| 9 000 | 0,23777 € | 2 139,93 € |
| 15 000 | 0,22615 € | 3 392,25 € |
| 21 000 | 0,21926 € | 4 604,46 € |
| 30 000 | 0,21258 € | 6 377,40 € |
| Preço unitário sem VAT: | 1,07000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 1,31610 € |











