Name: SI8812DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI8812DB-T2-E1TR-ND
Price: 0.7257 EUR
Availability: InStock

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SI8812DB-T2-E1
Número de produto da DigiKey	SI8812DB-T2-E1TR-ND - Fita e carretel (TR) SI8812DB-T2-E1CT-ND - Fita cortada (CT) SI8812DB-T2-E1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI8812DB-T2-E1
Descrição	MOSFET N-CH 20V 4MICROFOOT
Tempo de espera previsto do fabricante	13 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 20 V 2,3A (Ta) 500mW (Ta) Montagem em superfície 4-Microfoot
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SI8812DB-T2-E1 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	2,3A (Ta)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1,2V, 4,5V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	59mOhm a 1A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	17 nC @ 8 V
Vgs (máx.)	±5V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	500mW (Ta)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	4-Microfoot
Pacote / Invólucro	4-UFBGA
Número base de produto	SI8812

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