Name: SI9926CDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI9926CDY-T1-GE3TR-ND
Price: 1.9803 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SI9926CDY-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SI9926CDY-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SI9926CDY-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SI9926CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SI9926CDY-T1-GE3
Descrição	MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 20V 8A 3,1W Montagem em superfície 8-SOIC
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais N (duplo)
Característica FET	Porta de nível lógico
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	8A
Rds on (máx.) para Id, Vgs	18mOhm a 8,3A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	33nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1200pF a 10V
Potência - Máx.	3,1W
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	8-SOIC (largura 0,154", 3,90mm)
Invólucro do dispositivo fornecido	8-SOIC
Número base de produto	SI9926