Name: SIA413DJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA413DJ-T1-GE3TR-ND
Price: 1.6236 EUR
Availability: InStock

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SIA413DJ-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SIA413DJ-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIA413DJ-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIA413DJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIA413DJ-T1-GE3
Descrição	MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Tempo de espera previsto do fabricante	38 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 12 V 12A (Tc) 3,5W (Ta), 19W (Tc) Montagem em superfície SC-70-6 PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 1V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 57 nC @ 8 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±8V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1800 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3,5W (Ta), 19W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 12 V	Invólucro do dispositivo fornecido SC-70-6 PowerPAK®
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 12A (Tc)	Pacote / Invólucro SC-70-6 PowerPAK®
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1,5V, 4,5V	Número base de produto SIA413
Rds on (máx.) para Id, Vgs 29mOhm a 6,7A, 4,5V

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Fita e carretel (TR)

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Preço unitário sem VAT:	1,32000 €
Preço unitário com VAT:	1,62360 €

SIA413DJ-T1-GE3