Name: SIA921EDJ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIA921EDJ-T1-GE3TR-ND
Price: 1.2177 EUR
Availability: InStock

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SIA921EDJ-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SIA921EDJ-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIA921EDJ-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIA921EDJ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIA921EDJ-T1-GE3
Descrição	MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Tempo de espera previsto do fabricante	38 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 20V 4,5A 7,8W Montagem em superfície SC-70-6 Dual PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIA921EDJ-T1-GE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Rds on (máx.) para Id, Vgs 59mOhm a 3,6A, 4,5V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx.) para Id 1,4V a 250µA
Séries TrenchFET®	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 23nC a 10V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Potência - Máx. 7,8W
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Configuração 2 canais P (duplo)	Pacote / Invólucro SC-70-6 Dual PowerPAK®
Característica FET Porta de nível lógico	Invólucro do dispositivo fornecido SC-70-6 Dual PowerPAK®
Tensão dreno-fonte (Vdss) 20V	Número base de produto SIA921
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 4,5A

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Fita e carretel (TR)