Name: SIB456DK-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIB456DK-T1-GE3TR-ND
Price: 0.861 EUR
Availability: InStock

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SIB456DK-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SIB456DK-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIB456DK-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIB456DK-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIB456DK-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 100V 6.3A PPAK SC75
Tempo de espera previsto do fabricante	17 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 6,3A (Tc) 2,4W (Ta), 13W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® SC-75-6
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIB456DK-T1-GE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 5 nC @ 10 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 130 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 2,4W (Ta), 13W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido PowerPAK® SC-75-6
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 6,3A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerPAK® SC-75-6
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto SIB456
Rds on (máx.) para Id, Vgs 185mOhm a 1,9A, 10V

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Fita e carretel (TR)

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Preço unitário com VAT:	0,86100 €

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