Name: SIDR680DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIDR680DP-T1-GE3TR-ND
Price: 4.5264 EUR
Availability: InStock

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SIDR680DP-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SIDR680DP-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIDR680DP-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIDR680DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIDR680DP-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	55 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 32,8A (Ta), 100A (Tc) 6,25W (Ta), 125W (Tc) Montagem em superfície SO-8DC PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 105 nC @ 10 V
Séries TrenchFET® Gen IV	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 5150 pF @ 40 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 6,25W (Ta), 125W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Invólucro do dispositivo fornecido SO-8DC PowerPAK®
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 32,8A (Ta), 100A (Tc)	Pacote / Invólucro SO-8 PowerPAK®
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7,5V, 10V	Número base de produto SIDR680
Rds on (máx.) para Id, Vgs 2,9mOhm a 20A, 10V