Name: SIEH4800EW-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIEH4800EW-T1-GE3TR-ND
Price: 6.5682 EUR
Availability: InStock

Novo produto

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SIEH4800EW-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	742-SIEH4800EW-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SIEH4800EW-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SIEH4800EW-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIEH4800EW-T1-GE3
Descrição	N-CHANNEL 80 V (D-S) 175 C MOSFE
Tempo de espera previsto do fabricante	12 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 34A (Ta), 381A (Tc) 3,4W (Ta), 417W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 8 x 8 BWL
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	80 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	34A (Ta), 381A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	7,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	1,15mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	278 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	29000 pF @ 40 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,4W (Ta), 417W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 175°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PowerPAK® 8 x 8 BWL
Pacote / Invólucro	8-PowerDFN