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SIHA21N60EF-E3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHA21N60EF-E3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHA21N60EF-E3 |
Descrição | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 28 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 600 V 21A (Tc) 35W (Tc) Furo passante Pacote completo TO-220 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
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Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 84 nC @ 10 V |
Embalagem Tubo | Vgs (máx.) ±30V |
Part Status Ativo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2030 pF @ 100 V |
Tipo de FET | Dissipação de potência (máx.) 35W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V | Tipo de montagem Furo passante |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Invólucro do dispositivo fornecido Pacote completo TO-220 |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Pacote / Invólucro |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 176mOhm a 11A, 10V | Número base de produto |
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Substitutos (4)
| Número de peça | Fabricante | QUANTIDADE DISPONÍVEL | Número de produto da DigiKey | Preço unitário | Tipo de substituto |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE145CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE145CITC0G-ND | 5,23000 € | Similar |
| TSM60NE180CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE180CITC0G-ND | 4,84000 € | Similar |
| TSM60NE200CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE200CITC0G-ND | 4,39000 € | Similar |
| TSM60NE285CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE285CITC0G-ND | 3,71000 € | Similar |
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 000 | 1,53114 € | 1 531,14 € |
| Preço unitário sem VAT: | 1,53114 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 1,88330 € |
