SIHB10N40D-GE3 Vishay Siliconix | FET simples, MOSFETs

SIHB10N40D-GE3
Número de produto da DigiKey	SIHB10N40D-GE3-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIHB10N40D-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 400V 10A TO263
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 400 V 10A (Tc) 147W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Obsoleto
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	400 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	600mOhm a 5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	526 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	147W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	SIHB10

SIHB10N40D-GE3