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SIHB12N50C-E3 está obsoleto e não é mais fabricado.
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A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
SIHB12N50C-E3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHB12N50C-E3-ND - Fita e carretel (TR) |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHB12N50C-E3 |
Descrição | MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 500 V 12A (Tc) 208W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Modelos EDA / CAD | SIHB12N50C-E3 Modelos |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | - | |
Embalagem | Fita e carretel (TR) | |
Part Status | Obsoleto | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 500 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 555mOhm a 4A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 5V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 48 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1375 pF @ 25 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 208W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-263 (D2PAK) | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Obsoleto
