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Canal N 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
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Canal N 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB12N60ET5-GE3

Número de produto da DigiKey
SIHB12N60ET5-GE3-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SIHB12N60ET5-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
Tempo de espera previsto do fabricante
15 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 600 V 12A (Tc) 147W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
E
Embalagem
Granel
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
380mOhm a 6A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
58 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
937 pF @ 100 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
147W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro
TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto
SIHB12
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Granel
Quantidade Preço unitário Preço total
8000,81130 €649,04 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:0,81130 €
Preço unitário com VAT:0,99790 €