TO-263-3
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TO-263-3
TO-263-3

SIHB15N60E-GE3

Número de produto da DigiKey
SIHB15N60E-GE3-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SIHB15N60E-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante
25 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 600 V 15A (Tc) 180W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
-
Embalagem
Granel
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
15A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
280mOhm a 8A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
78 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1350 pF @ 100 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
180W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro
TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto
SIHB15
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Granel
Quantidade Preço unitário Preço total
13,54000 €3,54 €
102,32800 €23,28 €
1001,63860 €163,86 €
5001,34442 €672,21 €
1 0001,24996 €1 249,96 €
2 0001,20918 €2 418,36 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:3,54000 €
Preço unitário com VAT:4,35420 €