


SIHB17N80E-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 742-SIHB17N80E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHB17N80E-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 800V 15A D2PAK |
Tempo de espera previsto do fabricante | 24 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 800 V 15A (Tc) 208W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Categoria | Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
Fabricante | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 122 nC @ 10 V |
Séries | Vgs (máx.) ±30V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2408 pF @ 100 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 208W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 800 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V | Número base de produto |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 290mOhm a 8,5A, 10V |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 5,39000 € | 5,39 € |
| 10 | 3,60800 € | 36,08 € |
| 100 | 2,59810 € | 259,81 € |
| 500 | 2,16756 € | 1 083,78 € |
| 1 000 | 2,02935 € | 2 029,35 € |
| 2 000 | 1,95477 € | 3 909,54 € |
| Preço unitário sem VAT: | 5,39000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 6,62970 € |



