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SIHB18N60E-GE3

Número de produto da DigiKey
SIHB18N60E-GE3-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SIHB18N60E-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 600V 18A TO263
Tempo de espera previsto do fabricante
25 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 600 V 18A (Tc) 179W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
-
Embalagem
Tubo
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
202mOhm a 9A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
92 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1640 pF @ 100 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
179W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro
TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto
SIHB18
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Tubo
Quantidade Preço unitário Preço total
1 0001,62514 €1 625,14 €
Embalagem padrão do fabricante
Observação: devido aos serviços de valor agregado da DigiKey, o tipo de embalagem pode alterar se o produto for adquirido em quantidades inferiores ao pacote padrão.
Preço unitário sem VAT:1,62514 €
Preço unitário com VAT:1,99892 €