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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
SIHB21N65EF-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | SIHB21N65EF-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHB21N65EF-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK |
Tempo de espera previsto do fabricante | 25 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 21A (Tc) 208W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | - | |
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 180mOhm a 11A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 106 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 2322 pF @ 100 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 208W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-263 (D2PAK) | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Em estoque: 92
Verifique se há estoque adicional de entrada
Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 5,09000 € | 5,09 € |
| 50 | 2,68440 € | 134,22 € |
| 100 | 2,45200 € | 245,20 € |
| 500 | 2,04508 € | 1 022,54 € |
| 1 000 | 1,97140 € | 1 971,40 € |
| Preço unitário sem VAT: | 5,09000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 6,26070 € |
Portugal