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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
SIHB24N65E-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 742-SIHB24N65E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHB24N65E-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 650V 24A D2PAK |
Tempo de espera previsto do fabricante | 24 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 650 V 24A (Tc) 250W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | - | |
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 650 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 145mOhm a 12A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 122 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 2740 pF @ 100 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 250W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-263 (D2PAK) | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Em estoque: 1 416
Verifique se há estoque adicional de entrada
Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 6,02000 € | 6,02 € |
| 50 | 3,20640 € | 160,32 € |
| 100 | 2,93530 € | 293,53 € |
| 500 | 2,46086 € | 1 230,43 € |
| 1 000 | 2,30858 € | 2 308,58 € |
| 2 000 | 2,26286 € | 4 525,72 € |
| Preço unitário sem VAT: | 6,02000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 7,40460 € |
Portugal