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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
SIHB24N80AE-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 742-SIHB24N80AE-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHB24N80AE-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 800V 21A D2PAK |
Tempo de espera previsto do fabricante | 24 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 800 V 21A (Tc) 208W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
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Categoria | Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 89 nC @ 10 V |
Fabricante | Vgs (máx.) ±30V |
Embalagem Tubo | Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1836 pF @ 100 V |
Part Status Ativo | Dissipação de potência (máx.) 208W (Tc) |
Tipo de FET | Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo de montagem Montagem em superfície |
Tensão dreno-fonte (Vdss) 800 V | Invólucro do dispositivo fornecido TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | Pacote / Invólucro |
Rds on (máx.) para Id, Vgs 184mOhm a 10A, 10V | Número base de produto |
Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA |
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 3,93000 € | 3,93 € |
| 50 | 2,01060 € | 100,53 € |
| 100 | 1,82550 € | 182,55 € |
| 500 | 1,50128 € | 750,64 € |
| 1 000 | 1,39717 € | 1 397,17 € |
| 2 000 | 1,30966 € | 2 619,32 € |
| 5 000 | 1,27485 € | 6 374,25 € |
| Preço unitário sem VAT: | 3,93000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 4,83390 € |
