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Produto do Mercado
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
SIHB25N50E-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 742-SIHB25N50E-GE3-ND |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHB25N50E-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 500V 26A TO263 |
Tempo de espera previsto do fabricante | 24 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 500 V 26A (Tc) 250W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK) |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Atributos de produto
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | - | |
Embalagem | Tubo | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 500 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 145mOhm a 12A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 86 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±30V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1980 pF @ 100 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 250W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-263 (D2PAK) | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
Em estoque: 936
Verifique se há estoque adicional de entrada
Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Tubo
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 4,18000 € | 4,18 € |
| 10 | 2,76400 € | 27,64 € |
| 100 | 1,95940 € | 195,94 € |
| 500 | 1,61602 € | 808,01 € |
| 1 000 | 1,50577 € | 1 505,77 € |
| 2 000 | 1,41312 € | 2 826,24 € |
| 5 000 | 1,38959 € | 6 947,95 € |
| Preço unitário sem VAT: | 4,18000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 5,14140 € |
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