TO-263-3
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.
TO-263-3
TO-263-3

SIHB33N60EF-GE3

Número de produto da DigiKey
SIHB33N60EF-GE3-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SIHB33N60EF-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
Tempo de espera previsto do fabricante
25 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
-
Embalagem
Granel
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
33A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
98mOhm a 16,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
3454 pF @ 100 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
278W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro
TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto
SIHB33
Perguntas e respostas sobre o produto

Veja o que os engenheiros estão perguntando, faça suas próprias perguntas ou ajude um membro da comunidade de engenharia da DigiKey

Em estoque: 966
Verifique se há estoque adicional de entrada
Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Granel
Quantidade Preço unitário Preço total
16,63000 €6,63 €
104,50200 €45,02 €
1003,29530 €329,53 €
5002,80702 €1 403,51 €
Preço unitário sem VAT:6,63000 €
Preço unitário com VAT:8,15490 €