Name: SIHB33N60ET1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB33N60ET1-GE3TR-ND
Price: 7.626 EUR
Availability: OutOfStock

SIHB33N60ET1-GE3
Número de produto da DigiKey	SIHB33N60ET1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIHB33N60ET1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIHB33N60ET1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIHB33N60ET1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 600V 33A TO263
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Montagem em superfície TO-263 (D2PAK)
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	E
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	33A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	99mOhm a 16,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3508 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	278W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-263 (D2PAK)
Pacote / Invólucro	TO-263-3, D2PAK (2 condutores + aba), TO-263AB
Número base de produto	SIHB33

Quantidade	Preço unitário	Preço total
800	2,44199 €	1 953,59 €
1 600	2,35848 €	3 773,57 €

Preço unitário sem VAT:	6,20000 €
Preço unitário com VAT:	7,62600 €

SIHB33N60ET1-GE3