Canal N 800 V 5,4A (Tc) 78W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
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SIHD6N80E-GE3

Número de produto da DigiKey
SIHD6N80E-GE3-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SIHD6N80E-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante
24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 800 V 5,4A (Tc) 78W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
E
Embalagem
Granel
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
5,4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
940mOhm a 3A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
827 pF @ 100 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
TO-252AA
Pacote / Invólucro
TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto
SIHD6
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Granel
Quantidade Preço unitário Preço total
12,60000 €2,60 €
101,68500 €16,85 €
1001,16070 €116,07 €
5000,93684 €468,42 €
1 0000,86490 €864,90 €
3 0000,77363 €2 320,89 €
6 0000,72985 €4 379,10 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:2,60000 €
Preço unitário com VAT:3,19800 €