Canal N 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Montagem em superfície DPAK
A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SIHD7N60E-GE3

Número de produto da DigiKey
SIHD7N60E-GE3-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SIHD7N60E-GE3
Descrição
MOSFET N-CH 600V 7A DPAK
Tempo de espera previsto do fabricante
24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 600 V 7A (Tc) 78W (Tc) Montagem em superfície DPAK
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SIHD7N60E-GE3 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
-
Embalagem
Granel
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
600mOhm a 3,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
680 pF @ 100 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
78W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
DPAK
Pacote / Invólucro
TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63
Número base de produto
SIHD7
Perguntas e respostas sobre o produto

Veja o que os engenheiros estão perguntando, faça suas próprias perguntas ou ajude um membro da comunidade de engenharia da DigiKey

Em estoque: 80
Verifique se há estoque adicional de entrada
Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Granel
Quantidade Preço unitário Preço total
12,49000 €2,49 €
101,61100 €16,11 €
1001,10740 €110,74 €
5000,89212 €446,06 €
1 0000,82292 €822,92 €
3 0000,73512 €2 205,36 €
6 0000,69095 €4 145,70 €
12 0000,68842 €8 261,04 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:2,49000 €
Preço unitário com VAT:3,06270 €