Canal P 100 V 1,1A (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) Montagem em superfície SOT-223
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SIHFL9110TR-GE3

Número de produto da DigiKey
742-SIHFL9110TR-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
742-SIHFL9110TR-GE3CT-ND - Fita cortada (CT)
742-SIHFL9110TR-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SIHFL9110TR-GE3
Descrição
MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Tempo de espera previsto do fabricante
43 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal P 100 V 1,1A (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) Montagem em superfície SOT-223
Ficha técnica
 Ficha técnica
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
-
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal P
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
1,1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
1,2Ohm a 660mA, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
8.7 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
200 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
2W (Ta), 3,1W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
SOT-223
Pacote / Invólucro
TO-261-4, TO-261AA
Número base de produto
SIHFL9110
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Em estoque: 11 639
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
10,88000 €0,88 €
100,54600 €5,46 €
1000,35530 €35,53 €
5000,27334 €136,67 €
1 0000,24696 €246,96 €
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá 5,50 € de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
2 5000,21836 €545,90 €
5 0000,20069 €1 003,45 €
7 5000,19168 €1 437,60 €
12 5000,18156 €2 269,50 €
17 5000,17556 €3 072,30 €
25 0000,16974 €4 243,50 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:0,88000 €
Preço unitário com VAT:1,08240 €