Equivalente paramétrico
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SIHFR220-GE3 | |
|---|---|
Número de produto da DigiKey | 742-SIHFR220-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIHFR220-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CHANNEL 200V |
Tempo de espera previsto do fabricante | 15 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 200 V 4,8A (Tc) 2,5W (Ta), 42W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
|---|---|---|
Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | - | |
Embalagem | Fita e carretel (TR) | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 200 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 800mOhm a 2,9A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 4V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 14 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 260 pF @ 25 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 2,5W (Ta), 42W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | TO-252AA | |
Pacote / Invólucro |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,22006 € | 660,18 € |
| 6 000 | 0,21432 € | 1 285,92 € |
| 9 000 | 0,21145 € | 1 903,05 € |
| 15 000 | 0,20827 € | 3 124,05 € |
| 21 000 | 0,20641 € | 4 334,61 € |
| 30 000 | 0,20462 € | 6 138,60 € |
| Preço unitário sem VAT: | 0,22006 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 0,27067 € |



