Name: SIHFR9310TRL-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHFR9310TRL-GE3TR-ND
Price: 1.2792 EUR
Availability: InStock

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SIHFR9310TRL-GE3
Número de produto da DigiKey	742-SIHFR9310TRL-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SIHFR9310TRL-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SIHFR9310TRL-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIHFR9310TRL-GE3
Descrição	MOSFET P-CHANNEL 400V
Tempo de espera previsto do fabricante	20 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 400 V 1,8A (Tc) 50W (Tc) Montagem em superfície TO-252AA
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	-
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal P
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	400 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	1,8A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	7Ohm a 1,1A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	270 pF @ 25 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	50W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-252AA
Pacote / Invólucro	TO-252-3, DPAK (2 condutores + aba), SC-63