Name: SIHG33N60E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHG33N60E-GE3-ND
Price: 8.0934 EUR
Availability: OutOfStock

SIHG33N60E-GE3
Número de produto da DigiKey	SIHG33N60E-GE3-ND
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIHG33N60E-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 33A (Tc) 278W (Tc) Furo passante TO-247AC
Ficha técnica	Ficha técnica

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	-
Embalagem	Tubo
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	600 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	33A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	99mOhm a 16,5A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	150 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	3508 pF @ 100 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	278W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Furo passante
Invólucro do dispositivo fornecido	TO-247AC
Pacote / Invólucro	TO-247-3
Número base de produto	SIHG33

Preço unitário sem VAT:	6,58000 €
Preço unitário com VAT:	8,09340 €

SIHG33N60E-GE3