Name: SIHJ240N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHJ240N60E-T1-GE3TR-ND
Price: 3.9852 EUR
Availability: InStock

A imagem mostrada é apenas uma representação. As especificações exatas devem ser obtidas da ficha técnica do produto.

SIHJ240N60E-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SIHJ240N60E-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIHJ240N60E-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIHJ240N60E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIHJ240N60E-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 600V 12A PPAK SO-8
Tempo de espera previsto do fabricante	38 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 12A (Tc) 89W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

Filtrar produtos similares

Mostrar atributos vazios

Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 23 nC @ 10 V
Séries E	Vgs (máx.) ±30V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 783 pF @ 100 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 89W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V	Invólucro do dispositivo fornecido SO-8 PowerPAK®
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 12A (Tc)	Pacote / Invólucro SO-8 PowerPAK®
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto SIHJ240
Rds on (máx.) para Id, Vgs 240mOhm a 5,5A, 10V