Canal N 500 V 12A (Tc) 208W (Tc) Furo passante
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Canal N 500 V 12A (Tc) 208W (Tc) Furo passante
TO-220AB

SIHP12N50C-E3

Número de produto da DigiKey
742-SIHP12N50C-E3-ND
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SIHP12N50C-E3
Descrição
MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 500 V 12A (Tc) 208W (Tc) Furo passante
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SIHP12N50C-E3 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
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Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
-
Embalagem
Tubo
Part Status
Obsoleto
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
555mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1375 pF @ 25 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Furo passante
Pacote / Invólucro
TO-220-3
Número base de produto
SIHP12
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Quantidade
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Tubo
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