Name: SIHR080N60E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHR080N60E-T1-GE3TR-ND
Price: 7.9089 EUR
Availability: InStock

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SIHR080N60E-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	742-SIHR080N60E-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SIHR080N60E-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SIHR080N60E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIHR080N60E-T1-GE3
Descrição	E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Tempo de espera previsto do fabricante	24 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 600 V 51A (Tc) 500W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 8 x 8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIHR080N60E-T1-GE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 84mOhm a 17A, 10V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx.) para Id 5V a 250µA
Séries E	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 63 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±30V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2557 pF @ 100 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 500W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 600 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 51A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido PowerPAK® 8 x 8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Pacote / Invólucro 8-PowerSMD, asa de gaivota

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Preço unitário com VAT:	7,90890 €

SIHR080N60E-T1-GE3