Name: SIR178DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR178DP-T1-RE3TR-ND
Price: 2.952 EUR
Availability: InStock

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SIR178DP-T1-RE3
Número de produto da DigiKey	742-SIR178DP-T1-RE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SIR178DP-T1-RE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SIR178DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIR178DP-T1-RE3
Descrição	MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	19 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 20 V 100A (Ta), 430A (Tc) 6,3W (Ta), 104W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIR178DP-T1-RE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 1,5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 310 nC @ 10 V
Séries TrenchFET® Gen IV	Vgs (máx.) +12V, -8V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 12430 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 6,3W (Ta), 104W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 20 V	Invólucro do dispositivo fornecido SO-8 PowerPAK®
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 100A (Ta), 430A (Tc)	Pacote / Invólucro SO-8 PowerPAK®
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2,5V, 10V	Número base de produto SIR178
Rds on (máx.) para Id, Vgs 0,4mOhm a 30A, 10V