Name: SIR410DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR410DP-T1-GE3TR-ND
Price: 1.7958 EUR
Availability: InStock

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SIR410DP-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SIR410DP-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIR410DP-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIR410DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIR410DP-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
Tempo de espera previsto do fabricante	38 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 20 V 35A (Tc) 4,2W (Ta), 36W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 41 nC @ 10 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1600 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 4,2W (Ta), 36W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 20 V	Invólucro do dispositivo fornecido SO-8 PowerPAK®
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 35A (Tc)	Pacote / Invólucro SO-8 PowerPAK®
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto SIR410
Rds on (máx.) para Id, Vgs 4,8mOhm a 20A, 10V