Name: SIR5208DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR5208DP-T1-RE3TR-ND
Price: 1.7835 EUR
Availability: InStock

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SIR5208DP-T1-RE3
Número de produto da DigiKey	742-SIR5208DP-T1-RE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SIR5208DP-T1-RE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SIR5208DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIR5208DP-T1-RE3
Descrição	N-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET 150C
Tempo de espera previsto do fabricante	19 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 20 V 48A (Ta), 165A (Tc) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica

Atributos de produto

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,3mOhm a 10A, 8V
Fabricante Vishay Siliconix	Vgs(th) (máx.) para Id 1,3V a 250µA
Séries TrenchFET® Gen V	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 68 nC @ 10 V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) +8V, -7V
Part Status Ativo	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 4100 pF @ 10 V
Tipo de FET Canal N	Dissipação de potência (máx.) 4,8W (Ta), 56,8W (Tc)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 20 V	Tipo de montagem Montagem em superfície
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 48A (Ta), 165A (Tc)	Invólucro do dispositivo fornecido SO-8 PowerPAK®
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2,5V, 8V	Pacote / Invólucro SO-8 PowerPAK®