Name: SIR606DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR606DP-T1-GE3TR-ND
Price: 2.2017 EUR
Availability: OutOfStock

Preciso de ajuda?

Comentários

Sobre a DigiKey Marketplace Venda na DigiKey.com Carreiras Mapa do site Soluções digitais Sala de imprensa

Ajuda e suporte Situação do pedido Opções/taxas de frete Devoluções e problemas de pedido

(+351) 22 06 08 025 eu.support@digikey.com

SIR606DP-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SIR606DP-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIR606DP-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIR606DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIR606DP-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Tempo de espera previsto do fabricante	33 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 37A (Tc) 44,5W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIR606DP-T1-GE3 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET®
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	37A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	16,2mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	3,6V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	22 nC @ 6 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1360 pF @ 50 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	44,5W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SO-8 PowerPAK®
Pacote / Invólucro	SO-8 PowerPAK®
Número base de produto	SIR606

Quantidade	Preço unitário	Preço total
3 000	0,50045 €	1 501,35 €
6 000	0,47666 €	2 859,96 €

Preço unitário sem VAT:	1,79000 €
Preço unitário com VAT:	2,20170 €

SIR606DP-T1-GE3