Name: SIR872DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR872DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.9729 EUR
Availability: InStock

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SIR872DP-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SIR872DP-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIR872DP-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIR872DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIR872DP-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 150V 53.7A PPAK SO-8
Tempo de espera previsto do fabricante	42 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 150 V 53,7A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 3,5V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 64 nC @ 10 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2130 pF @ 75 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 6,25W (Ta), 104W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 150 V	Invólucro do dispositivo fornecido SO-8 PowerPAK®
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 53,7A (Tc)	Pacote / Invólucro SO-8 PowerPAK®
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V	Número base de produto SIR872
Rds on (máx.) para Id, Vgs 18mOhm a 20A, 10V

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Em estoque: 9 465

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Quantidade

Todos os preços estão em EUR

Fita cortada (CT) & Digi-Reel®

* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá 5,50 € de taxa de bobinagem.

Fita e carretel (TR)

Quantidade	Preço unitário	Preço total
3 000	1,00311 €	3 009,33 €
6 000	0,98100 €	5 886,00 €

Embalagem padrão do fabricante

Preço unitário sem VAT:	3,23000 €
Preço unitário com VAT:	3,97290 €

SIR872DP-T1-GE3