Canal N 100 V 12A (Ta), 42,5A (Tc) 5W (Ta), 62,5W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
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SIR878BDP-T1-RE3

Número de produto da DigiKey
SIR878BDP-T1-RE3TR-ND - Fita e carretel (TR)
SIR878BDP-T1-RE3CT-ND - Fita cortada (CT)
SIR878BDP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante
SIR878BDP-T1-RE3
Descrição
MOSFET N-CH 100V 12A/42.5A PPAK
Tempo de espera previsto do fabricante
55 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada
Canal N 100 V 12A (Ta), 42,5A (Tc) 5W (Ta), 62,5W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
Ficha técnica
 Ficha técnica
Modelos EDA / CAD
SIR878BDP-T1-RE3 Modelos
Atributos de produto
Tipo
Descrição
Selecionar tudo
Categoria
Fabricante
Vishay Siliconix
Séries
TrenchFET® Gen IV
Embalagem
Fita e carretel (TR)
Fita cortada (CT)
Digi-Reel®
Part Status
Ativo
Tipo de FET
Canal N
Tecnologia
MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C
12A (Ta), 42,5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs
14,4mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id
3,4V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds
1850 pF @ 50 V
Característica FET
-
Dissipação de potência (máx.)
5W (Ta), 62,5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C a 150°C (TJ)
Grau
-
Qualificação
-
Tipo de montagem
Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido
SO-8 PowerPAK®
Pacote / Invólucro
SO-8 PowerPAK®
Número base de produto
SIR878
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Em estoque: 7 161
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Quantidade
Todos os preços estão em EUR
Fita cortada (CT) & Digi-Reel®
Quantidade Preço unitário Preço total
12,16000 €2,16 €
101,39100 €13,91 €
1000,95120 €95,12 €
5000,76324 €381,62 €
1 0000,75606 €756,06 €
* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá 5,50 € de taxa de bobinagem.
Fita e carretel (TR)
Quantidade Preço unitário Preço total
3 0000,62612 €1 878,36 €
6 0000,61770 €3 706,20 €
Embalagem padrão do fabricante
Preço unitário sem VAT:2,16000 €
Preço unitário com VAT:2,65680 €