Name: SIR882DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR882DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.6039 EUR
Availability: InStock

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SIR882DP-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SIR882DP-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIR882DP-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIR882DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIR882DP-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Tempo de espera previsto do fabricante	42 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 100 V 60A (Tc) 5,4W (Ta), 83W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIR882DP-T1-GE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 2,8V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 58 nC @ 10 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1930 pF @ 50 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 5,4W (Ta), 83W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 100 V	Invólucro do dispositivo fornecido SO-8 PowerPAK®
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 60A (Tc)	Pacote / Invólucro SO-8 PowerPAK®
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V	Número base de produto SIR882
Rds on (máx.) para Id, Vgs 8,7mOhm a 20A, 10V