Name: SIRA80DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIRA80DP-T1-RE3TR-ND
Price: 2.9397 EUR
Availability: OutOfStock

SIRA80DP-T1-RE3
Número de produto da DigiKey	SIRA80DP-T1-RE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIRA80DP-T1-RE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIRA80DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIRA80DP-T1-RE3
Descrição	MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Tempo de espera previsto do fabricante	55 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 30 V 100A (Tc) 104W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIRA80DP-T1-RE3 Modelos

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET® Gen IV
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	30 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	0,62mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,2V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	188 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+20V, -16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	9530 pF @ 15 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	104W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	SO-8 PowerPAK®
Pacote / Invólucro	SO-8 PowerPAK®
Número base de produto	SIRA80

SIRA80DP-T1-RE3

Preço unitário sem VAT:	2,39000 €
Preço unitário com VAT:	2,93970 €