Name: SIRS5800DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRS5800DP-T1-GE3TR-ND
Price: 4.674 EUR
Availability: InStock

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SIRS5800DP-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	742-SIRS5800DP-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SIRS5800DP-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SIRS5800DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIRS5800DP-T1-GE3
Descrição	N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Tempo de espera previsto do fabricante	55 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 80 V 46A (Ta), 265A (Tc) 7,4W (Ta), 240W (Tc) Montagem em superfície SO-8 PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIRS5800DP-T1-GE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 4V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 122 nC @ 10 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±20V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 6190 pF @ 40 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 7,4W (Ta), 240W (Tc)
Tipo de FET Canal N	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 80 V	Invólucro do dispositivo fornecido SO-8 PowerPAK®
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 46A (Ta), 265A (Tc)	Pacote / Invólucro SO-8 PowerPAK®
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 7,5V, 10V	Número base de produto SIRS5800
Rds on (máx.) para Id, Vgs 1,8mOhm a 20A, 10V