Name: SIS407DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS407DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.7097 EUR
Availability: InStock

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SIS407DN-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SIS407DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIS407DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIS407DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIS407DN-T1-GE3
Descrição	MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Tempo de espera previsto do fabricante	38 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal P 20 V 25A (Tc) 3,6W (Ta), 33W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 1212-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIS407DN-T1-GE3 Modelos

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs	Vgs(th) (máx.) para Id 1V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 93.8 nC @ 8 V
Séries TrenchFET®	Vgs (máx.) ±8V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 2760 pF @ 10 V
Part Status Ativo	Dissipação de potência (máx.) 3,6W (Ta), 33W (Tc)
Tipo de FET Canal P	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Tensão dreno-fonte (Vdss) 20 V	Invólucro do dispositivo fornecido PowerPAK® 1212-8
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 25A (Tc)	Pacote / Invólucro PowerPAK® 1212-8
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1,8V, 4,5V	Número base de produto SIS407
Rds on (máx.) para Id, Vgs 9,5mOhm a 15,3A, 4,5V