Name: SIS862ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS862ADN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.4391 EUR
Availability: InStock

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SIS862ADN-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SIS862ADN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIS862ADN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIS862ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIS862ADN-T1-GE3
Descrição	MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Tempo de espera previsto do fabricante	29 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Canal N 60 V 15,8A (Ta), 52A (Tc) 3,6W (Ta), 39W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 1212-8
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIS862ADN-T1-GE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs FET simples, MOSFETs
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET® Gen IV
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tipo de FET	Canal N
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)	60 V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	15,8A (Ta), 52A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4,5V, 10V
Rds on (máx.) para Id, Vgs	7,2mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx.) para Id	2,5V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	1235 pF @ 30 V
Característica FET	-
Dissipação de potência (máx.)	3,6W (Ta), 39W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Grau	-
Qualificação	-
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Invólucro do dispositivo fornecido	PowerPAK® 1212-8
Pacote / Invólucro	PowerPAK® 1212-8
Número base de produto	SIS862