
SIS890ADN-T1-GE3 | |
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Número de produto da DigiKey | 742-SIS890ADN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) 742-SIS890ADN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) 742-SIS890ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de produto do fabricante | SIS890ADN-T1-GE3 |
Descrição | MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK |
Tempo de espera previsto do fabricante | 55 semanas |
Referência do cliente | |
Descrição detalhada | Canal N 100 V 7,6A (Ta), 24,7A (Tc) 3,6W (Ta), 39W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 1212-8 |
Ficha técnica | Ficha técnica |
Tipo | Descrição | Selecionar tudo |
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Categoria | ||
Fabricante | ||
Séries | - | |
Embalagem | Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel® | |
Part Status | Ativo | |
Tipo de FET | ||
Tecnologia | ||
Tensão dreno-fonte (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C | ||
Rds on (máx.) para Id, Vgs | 25,5mOhm a 10A, 10V | |
Vgs(th) (máx.) para Id | 2,5V a 250µA | |
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs | 29 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds | 1330 pF @ 50 V | |
Característica FET | - | |
Dissipação de potência (máx.) | 3,6W (Ta), 39W (Tc) | |
Temperatura de operação | -55°C a 150°C (TJ) | |
Grau | - | |
Qualificação | - | |
Tipo de montagem | Montagem em superfície | |
Invólucro do dispositivo fornecido | PowerPAK® 1212-8 | |
Pacote / Invólucro | ||
Número base de produto |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 1 | 1,24000 € | 1,24 € |
| 10 | 0,78100 € | 7,81 € |
| 100 | 0,51880 € | 51,88 € |
| 500 | 0,40604 € | 203,02 € |
| 1 000 | 0,36976 € | 369,76 € |
| Quantidade | Preço unitário | Preço total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,34633 € | 1 038,99 € |
| 6 000 | 0,32151 € | 1 929,06 € |
| 9 000 | 0,30887 € | 2 779,83 € |
| 15 000 | 0,29468 € | 4 420,20 € |
| 21 000 | 0,28658 € | 6 018,18 € |
| Preço unitário sem VAT: | 1,24000 € |
|---|---|
| Preço unitário com VAT: | 1,52520 € |



