Name: SIS903DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS903DN-T1-GE3TR-ND
Price: 1.599 EUR
Availability: InStock

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SIS903DN-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SIS903DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SIS903DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SIS903DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SIS903DN-T1-GE3
Descrição	MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Tempo de espera previsto do fabricante	27 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 20V 6A (Tc) 2,6W (Ta), 23W (Tc) Montagem em superfície PowerPAK® 1212-8 duplo
Ficha técnica	Ficha técnica
Modelos EDA / CAD	SIS903DN-T1-GE3 Modelos

Atributos de produto

Tipo	Descrição	Selecionar tudo
Categoria	Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET
Fabricante	Vishay Siliconix
Séries	TrenchFET® Gen III
Embalagem	Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®
Part Status	Ativo
Tecnologia	MOSFET (óxido metálico)
Configuração	2 canais P (duplo)
Característica FET	-
Tensão dreno-fonte (Vdss)	20V
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C	6A (Tc)
Rds on (máx.) para Id, Vgs	20,1mOhm a 5A, 4,5V
Vgs(th) (máx.) para Id	1V a 250µA
Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs	42nC a 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds	2565pF a 10V
Potência - Máx.	2,6W (Ta), 23W (Tc)
Temperatura de operação	-55°C a 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Montagem em superfície
Pacote / Invólucro	PowerPAK® 1212-8 duplo
Invólucro do dispositivo fornecido	PowerPAK® 1212-8 duplo
Número base de produto	SIS903