Name: SISF20DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SISF20DN-T1-GE3TR-ND
Price: 2.5338 EUR
Availability: OutOfStock

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SISF20DN-T1-GE3
Número de produto da DigiKey	SISF20DN-T1-GE3TR-ND - Fita e carretel (TR) SISF20DN-T1-GE3CT-ND - Fita cortada (CT) SISF20DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Vishay Siliconix
Número de produto do fabricante	SISF20DN-T1-GE3
Descrição	MOSFET 2N-CH 60V 14A PWRPAK1212
Tempo de espera previsto do fabricante	55 semanas
Referência do cliente
Descrição detalhada	Cascata MOSFET 60V 14A (Ta), 52A (Tc) 5,2W (Ta), 69,4W (Tc) Montagem em superfície 1212-8SCD Dual PowerPAK®
Ficha técnica	Ficha técnica

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Categoria Produtos semicondutores discretos Transistores FETs, MOSFETs Matrizes de FET, MOSFET	Vgs(th) (máx.) para Id 3V a 250µA
Fabricante Vishay Siliconix	Carga na porta (Qg) (máx.) para Vgs 33nC a 10V
Séries TrenchFET® Gen IV	Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) para Vds 1290pF a 30V
Embalagem Fita e carretel (TR) Fita cortada (CT) Digi-Reel®	Potência - Máx. 5,2W (Ta), 69,4W (Tc)
Part Status Ativo	Temperatura de operação -55°C a 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (óxido metálico)	Tipo de montagem Montagem em superfície
Configuração 2 canais N (duplo)	Pacote / Invólucro 1212-8SCD Dual PowerPAK®
Tensão dreno-fonte (Vdss) 60V	Invólucro do dispositivo fornecido 1212-8SCD Dual PowerPAK®
Corrente - Dreno contínuo (Id) a 25°C 14A (Ta), 52A (Tc)	Número base de produto SISF20
Rds on (máx.) para Id, Vgs 13mOhm a 7A, 10V

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Quantidade

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Fita cortada (CT) & Digi-Reel®

* Todos os pedidos Digi-Reel incidirá 5,50 € de taxa de bobinagem.

Fita e carretel (TR)

Quantidade	Preço unitário	Preço total
3 000	0,59289 €	1 778,67 €
6 000	0,58123 €	3 487,38 €

Embalagem padrão do fabricante

Preço unitário sem VAT:	2,06000 €
Preço unitário com VAT:	2,53380 €

SISF20DN-T1-GE3